Los semiconductores semimagnéticos Ge_0.99Mn_0.01S fueron crecidos por el método de Bridgman vertical. Resultados de Rayos X muestran que este semiconductor tiene red cristalina ortorrómbica, con constantes de la red a = 10,47 Å, b = 4.297 Å, c = 3.641 Å.  Las medidas ópticas de transmitancia demuestran que la introducción de Mn en GeS disminuye el ancho de la banda prohibida. En Ge_0.99Mn_0.01S, el Eg = 1.59 eV, a 300 K y Eg = 1.72 eV, a 6 K. Se determinó el coeficiente térmico del ancho de la banda prohibida en  Ge_0.99Mn_0.01S, a = 0.53 meV/K. Hay un cambio brusco en la dependencia de temperatura de la susceptibilidad magnética a T @ 50K.