Se presenta un estudio de superficies con microscopio óptico, en películas delgadas de   Ga_1-xIn_xSb_yAs_1-y crecidas por la técnica de epitaxia en fase líquida, sobre substratos monocristalinos de GaSb con orientación (100) ± 0.1°. De acuerdo a la composición de la solución líquida, la estequiometría resultante en las películas está entre 0.15 y 0.2 de fracción molar de In y de 0.1 a 0.22 de Sb. Se analiza la presencia de diferentes estructuras características de las películas fabricadas por esta técnica (meniscus lines, hillocks, pinholes, pits), y su relación con algunos parámetros de crecimiento tales como tiempos de recocido, preparación del substrato y gradientes de temperatura.