Se presentan resultados de los análisis con el modelo de Kane a espectros de fotoluminiscencia tomados a diferentes temperaturas de películas epitaxiales altamente dopadas de GaAs:Sn. En los valores menores de dopado fue necesario incluir una banda de impurezas, cuya energía promedio coincidió con la energía de ionización del Sn actuando como donador. El ajuste con el modelo arrojó como parámetros a la energía de la brecha E_g, la energía de Fermi E_F y la energía de la cola de Urbach E_U. El análisis de E_g con  temperatura y potencia del láser permitió encontrar el coeficiente del estrechamiento de la brecha con la concentración de la impureza. Por otra parte el cálculo de la energía de Fermi para las distintas temperaturas, a través de la integral de Fermi - Dirac, fue muy aproximado a los valores paramétricos experimentales. Este hecho permite discernir el significado físico del hombro de alta energía en el espectro el cual ha generado mucha controversia en la literatura especializada.