Se reporta la presencia de un defecto profundo en 1.35 eV por medio de fotoluminiscencia de excitación continua en el rango de  temperatura desde 11 a 160 K. en películas epitaxiales de GaAs:Sn. Crecidas por epitaxia en fase líquida con concentraciones desde 1´10¹⁷ hasta 2´10¹⁸cm^-3. Con el modelo de Hopfield se encontró un factor de Huang-Rhys de 1.15, el cual se incrementa con la concentración de la impureza, y una participación fonónica en 32 meV, un poco más baja que el fonón óptico. El análisis de temperatura de los espectros arrojó una energía de activación térmica de 160 meV muy similar al obtenido a través del modelo de coordenadas de configuración. Se proponen como causas de la transición radiativa posibles complejos formados por trampas profundas y niveles de impurezas poco profundos.