Se presenta el análisis de los espectros de fotorreflectancia (FR) de películas delgadas de GaAs:Ge tipo p, tomados a baja temperatura en el rango de 12-150K. Las muestras fueron fabricadas por la técnica de epitaxia en fase líquida en el rango de altas concentraciones (1´10^-16 -7´10^-17 cm^-3). Se encontró la dependencia de la energía interbanda y el parámetro de ensanchamiento con la concentración de Ge y con la temperatura. Los espectros fueron tomados para dos diferentes fuentes de excitación láser, Ar (488nm) y HeNe (632.8nm). Para temperaturas por debajo de 80K los espectros exhiben, de mayor a menor energía, una contribución asociada a la transición fundamental y otra a la banda de impurezas, esta última se hace más evidente cuando la muestra es excitada con la línea de HeNe, lo que indica que la oscilación de baja energía es un efecto del volumen. Se propone un modelo teórico que permite ajustar los espectros de FR a baja temperatura.