Tradicionalmente se ha analizado la transición libre a ligado (e,A) en los espectros de fotoluminiscencia de semiconductores a través del modelo de Eagles. Los ajustes con este modelo son pobres en cuanto al ancho de la forma de línea y difiere bastante en la zona de bajas energías, ocasionando incongruencias en los resultados en especial cuando existen varios dopantes o cuando se trata de discernir entre las transiciones libre a ligado o donador aceptor. En este trabajo hemos incluido en el modelo tradicional, la temperatura de los electrones calientes y una corrección por efecto de las colas de bandas para realizar los ajustes teóricos a los espectros de fotoluminiscencia de películas epitaxiales de GaAs:Ge (p=1´10¹⁶cm³) tomados a diferentes temperaturas. El análisis nos permitió encontrar el fonón promedio participante, las energías de activación térmica y la profundidad de la cola de banda.